Rechèch sou pèfòmans dissipation chalè nan konvètisè van pouvwa IGBT
Konvètisè pouvwa van yo gen tandans fè fenomèn ekstrèm tanperati wo ak ba, ak espas enstalasyon an trè limite. Ki jan yo gaye chalè pou segondè-frekans, segondè-aktyèl modil IGBT nan yon espas limite te vin kle nan konsepsyon an dissipation chalè nan konvètisè pouvwa van. Koulye a, metòd dissipation chalè yo aplike nan modil IGBT nan konvètisè pouvwa van sitou gen ladan refwadisman lè fòse ak refwadisman dlo. Yo nan lòd yo fè modil IGBT travay nòmalman, li bezwen yo dwe fèt pou dissipation chalè asire ke tanperati a opere nan modil la IGBT se nan tanperati a junction maksimòm admisib.
Vize nan kondisyon yo dissipation chalè nan modil IGBT lè l sèvi avèk refwadisman lè fòse, yo prezante yon metòd kalkil pèt pratik. Rezilta yo kalkil pèt IGBT anba kondisyon travay diferan yo ranplase nan lojisyèl an flotherm, ak modèl yo simulation tèmik nan radyatè òdinè ak radyatè tiyo chalè yo te itilize pou de a Simulation ak analiz konparatif nan diferan radyatè yo te pote soti. Apre sa, pèfòmans chalè dissipation de radyatè yo nan pwodwi konvètisè a kalkile pa rezo a ekivalan rezistans tèmik nan de modil paralèl. Ranplase valè ki anwo a nan fòmil (6), yo jwenn K/W. Dapre kalkile rezistans tèmik radyatè a, chwazi radyatè ki koresponn lan.
Fòm nan koule chalè yo jeneralman gen ladan radyatè òdinè, chalè-refwadi chalè ak koule chalè tiyo chalè. Kannal lè a nan bò machin konvètisè a oswa bò griy A, B, C twa-faz IGBT modil fè santralize dissipation chalè. Pou konsepsyon radial lè fòse, gen plizyè fason pou diminye pwòp rezistans tèmik dissipateur a. Anpil entelektyèl nan Lachin te etidye enfliyans nan paramèt tankou wotè radyatè fin, epesè ak dansite sou rezistans nan tèmik nan radyatè, epi yo pa pral repete yo isit la. Yon lòt metòd ki souvan itilize nan jeni pou amelyore siyifikativman kapasite dissipation chalè radyatè a se entegre tiyo chalè nan substra radyatè a, men pwoblèm nan se ke pri a ogmante. Isit la, tou de bò machin ak bò kadriyaj konvètisè a adopte metòd SVPWM. Nan eksperyans la, NTC entegre entèn yo itilize pou kolekte done ogmantasyon tanperati modil la, epi yo ka kalkile tanperati junction pa fòmil sa a: Soti nan done eksperimantal radyatè a, li ka wè ke lè aktyèl la piti. , konsomasyon pouvwa total la piti, ak diferans nan pèfòmans chalè dissipation ant de radyatè yo pa gwo. Nan 450A, ogmantasyon tanperati modil IGBT a varye de apeprè 10 pye.
Analiz la simulation te pote soti nan kondisyon an ke vitès van an nan inlet lè a nan modil la se 7m / s, ak aktyèl la nan modil la se soti nan 100A a 500A. Tablo 1 montre done konparezon tanperati junction chip eksperimantal radyatè tiyo chalè ak tanperati junction chip simulation. Li ka wè ke done eksperimantal yo an bon akò ak rezilta yo simulation, ak lojisyèl an simulation ka avèk presizyon simulation tanperati a junction nan chip la.
b se konparezon rezilta simulation tanperati chip junction anba kondisyon vitès van varyab anba menm modil aktyèl la ak menm pèt modil la. Li ka wè ke kòm vitès van an ogmante, tanperati a junction chip diminye. Anba gwo kondisyon aktyèl yo, pi gwo vitès van an, pi gwo tanperati chip gout gwo.
Analiz done simulation Kouran/A Tanperati junction chip eksperimantal/t Tanperati junction chip simulation re erè/(a) Ogmantasyon tanperati modil Eksperyans eksperimantal ak fòm ond simulation 5 Konklizyon Yon metòd pratik pou kalkile pèt modil IGBT prezante isit la pou metòd konvètisè pouvwa van, ak enpòte rezilta kalkil pèt yo nan lojisyèl Flothem. Atravè konparezon nan analiz simulation ak done tès eksperimantal yo, yo te konpare ak analize diferans lan nan pèfòmans chalè dissipation de radyatè yo, epi yo te verifye kòrèkteman nan kalkil teyorik la ak modèl simulation. An menm tan an, yo bay koub simulation pèfòmans chalè dissipation radyatè a anba kondisyon volim lè varyab, ki bay yon referans enpòtan pou seleksyon radyatè IGBT konvètisè pouvwa van an.
