Nouvo teknoloji tranzistò ka ogmante kapasite dissipation chalè pa plis pase de fwa
Dapre rapò, yon ekip rechèch nan Osaka Metropolitan University te itilize dyaman, ki pi tèmik kondiktif materyèl natirèl sou Latè, kòm yon substra pou kreye nitrure Galyòm (GaN) tranzistò, ki gen plis pase de fwa kapasite nan chalè dissipation nan tranzistò tradisyonèl yo. Yo rapòte ke tranzistò a ka itilize pa sèlman nan estasyon baz kominikasyon 5G, rada meteyorolojik, kominikasyon satelit ak lòt jaden, men tou, nan chofaj mikwo ond, pwosesis plasma ak lòt jaden. Dènye rezilta rechèch yo te pibliye dènyèman nan jounal "Small".
Ak ogmante miniaturization nan aparèy semi-conducteurs, pwoblèm tankou ogmante dansite pouvwa ak jenerasyon chalè te parèt, ki ka afekte pèfòmans, fyab, ak lavi aparèy sa yo. Li konprann ke nitrure Galyòm (GaN) sou dyaman montre pwospè pwospè kòm materyèl semi-conducteurs pwochen jenerasyon an, kòm tou de materyèl yo gen bandgaps lajè ki pèmèt konduktiviti segondè ak konduktiviti tèmik segondè nan dyaman, pwezante yo kòm substrats ekselan chalè dissipation.
Précédemment, syantis yo te eseye kreye GaN estrikti sou Diamonds lè yo konbine de eleman ak kèk fòm tranzisyon oswa kouch adezif, men nan tou de ka, kouch adisyonèl la siyifikativman entèfere ak konduktiviti nan tèmik nan Diamonds, deranje yon konbinezon kle avantaje nan Diamonds GaN. Nan dènye rechèch la, syantis ki soti nan Inivèsite Piblik Osaka te fabrike avèk siksè tranzistò GaN segondè mobilite elektwon lè l sèvi avèk dyaman kòm yon substra. Pèfòmans dissipation chalè nouvo teknoloji sa a se plis pase de fwa tranzistò ki gen fòm menm jan an ki fabrike sou substrats carbure Silisyòm (SiC).
Yo nan lòd yo maksimize konduktiviti nan segondè tèmik nan dyaman, chèchè entegre yon kouch carbure Silisyòm kib ant GaN ak dyaman. Teknoloji sa a siyifikativman diminye rezistans tèmik koòdone a ak amelyore pèfòmans chalè dissipation. Nouvo teknoloji sa a gen potansyèl pou redwi siyifikativman emisyon gaz kabonik ak potansyèlman revolisyone devlopman nan pouvwa ak frekans radyo pwodwi elektwonik nan amelyore kapasite jesyon tèmik.
